Антава

MICROCHIP

Диод MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
30 V
Breakdown voltage
33.3 V
Max. forward impulse current
12.4 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ30CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage30 V
Breakdown voltage33.3 V
Max. forward impulse current12.4 A
Semiconductor structurebidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; bidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.