Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMBJ10A

MSMBJ10A
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
10V
Breakdown voltage
11.1V
Max. forward impulse current
35.3A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ10A
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage10V
Breakdown voltage11.1V
Max. forward impulse current35.3A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 11.1V; 35.3A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.