Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMBJ100AE3

MSMBJ100AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
0.1kV
Breakdown voltage
111V
Semiconductor structure
unidirectional
Корпус
DO214AA, SMB
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBJ100AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage0.1kV
Breakdown voltage111V
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 111V; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.