Антава

MICROCHIP

Диод MSMBG40AE3

MSMBG40AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6 kW
Max. off-state voltage
40 V
Breakdown voltage
44.4 V
Max. forward impulse current
9.3 A
Semiconductor structure
unidirectional

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSMBG40AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6 kW
Max. off-state voltage40 V
Breakdown voltage44.4 V
Max. forward impulse current9.3 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 44.4V; 9.3A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.