Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MSMBG30AE3

MSMBG30AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
0.6kW
Max. off-state voltage
30V
Breakdown voltage
33.3V
Max. forward impulse current
12.4A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSMBG30AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation0.6kW
Max. off-state voltage30V
Breakdown voltage33.3V
Max. forward impulse current12.4A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AA, SMB
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current1µA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 0.6kW; 33.3V; 12.4A; unidirectional; DO214AA,SMB; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.