Антава

MICROCHIP

MSCSM120TAM11TPAG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
251 A
Power dissipation
1.04 kW
Технология
SiC

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSCSM120TAM11TPAG
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current251 A
Power dissipation1.04 kW
ТехнологияSiC
Исходное описание поставщика

Module; 1.2kV; 251A; 1.04kW; SiC

Документация

Документы пока не предоставлены.