Антава

MICROCHIP

MSCSM120HM31TBL2NG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
79 A
Power dissipation
310 W
Технология
SiC

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSCSM120HM31TBL2NG
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current79 A
Power dissipation310 W
ТехнологияSiC
Исходное описание поставщика

Module; 1.2kV; 79A; 310W; SiC

Документация

Документы пока не предоставлены.