Антава

MICROCHIP

MSCSM120HM16TBL3NG

Фото уточняется
Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
150 A
Power dissipation
560 W
Технология
SiC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSCSM120HM16TBL3NG
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current150 A
Power dissipation560 W
ТехнологияSiC
Исходное описание поставщика

Module; 1.2kV; 150A; 560W; SiC

Документация

Документы пока не предоставлены.