Антава

MICROCHIP

Транзистор MSCSM120DDUM31CTBL2NG

Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
79 A
On-state resistance
31 mΩ
Рассеиваемая мощность
310 W
Технология
SiC
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSCSM120DDUM31CTBL2NG
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current79 A
On-state resistance31 mΩ
Рассеиваемая мощность310 W
ТехнологияSiC
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; 1.2kV; 79A; 310W; SiC; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.