MICROCHIP
Транзистор MSCGTQ100HD65C1AG
SP1 FИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/transistor
- Topology
- Vienna Rectifier
- Max. off-state voltage
- 650 V
- Collector current
- 80 A
- Корпус
- SP1 F
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MSCGTQ100HD65C1AG |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | Vienna Rectifier |
| Max. off-state voltage | 650 V |
| Collector current | 80 A |
| Корпус | SP1 F |
| Технология | Trench |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; Vienna Rectifier; Urmax: 650V
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.