Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC360SMA120SDT/R

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
8 A
Pulsed drain current
27 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSC360SMA120SDT/R
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current8 A
Pulsed drain current27 A
Рассеиваемая мощность92 W
КорпусTO263-7XL
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package800pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 92W; SMA

Документация

Документ производителя