Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC360SMA120B4N

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
8 A
Pulsed drain current
27 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSC360SMA120B4N
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current8 A
Pulsed drain current27 A
Рассеиваемая мощность90 W
КорпусTO247-4-notch
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package30pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 90W; SMA

Документация

Документы пока не предоставлены.