Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC080SMB120SDT/RM

MSC080SMB120SDT/RM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
30 A
Pulsed drain current
111 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC080SMB120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current30 A
Pulsed drain current111 A
Power dissipation268 W
КорпусTO263-7XL
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMB
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 111A; 268W

Документация

Документы пока не предоставлены.