Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC080SMA120SDT/RM

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
30A
Pulsed drain current
111A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC080SMA120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current30A
Pulsed drain current111A
Power dissipation268W
КорпусTO263-7XL
On-state resistance0.1Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; Idm: 111A; 268W

Документация

Документы пока не предоставлены.