Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC080SMA120SCT/RM

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
36 A
Pulsed drain current
188 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC080SMA120SCT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current36 A
Pulsed drain current188 A
Power dissipation240 W
КорпусPSMT-16L
On-state resistance75 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 188A; 240W

Документация

Документы пока не предоставлены.