Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC060SMB120SDT/RM

MSC060SMB120SDT/RM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
38 A
Power dissipation
192 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC060SMB120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current38 A
Power dissipation192 W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge45nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMB
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 192W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.