Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC045SMB120SDT/R

MSC045SMB120SDT/R
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
49 A
Power dissipation
237 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSC045SMB120SDT/R
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current49 A
Power dissipation237 W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge61nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package800pcs.
FamilySMB
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 49A; 237W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.