Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Транзистор MSC040SMA120B4N

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
50A
Pulsed drain current
215A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC040SMA120B4N
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current50A
Pulsed drain current215A
Power dissipation372W
КорпусTO247-4-notch
On-state resistance50mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge137nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package30pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 215A; 372W

Документация

Документы пока не предоставлены.