Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC040SMA120B4

MSC040SMA120B4
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
46 A
Pulsed drain current
105 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSC040SMA120B4
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current46 A
Pulsed drain current105 A
Power dissipation323 W
КорпусTO247-4
On-state resistance50 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge137nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package30pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 105A; 323W

Документация

Документы пока не предоставлены.