Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC030SMB120SDT/RM

MSC030SMB120SDT/RM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
69 A
Power dissipation
310 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSC030SMB120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current69 A
Power dissipation310 W
КорпусTO263
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge91nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMB
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 69A; 310W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.