Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC025SMA330B4N

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3.3 kV
Drain current
67 A
Pulsed drain current
240 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC025SMA330B4N
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3.3 kV
Drain current67 A
Pulsed drain current240 A
Power dissipation801 W
КорпусTO247-4-notch
On-state resistance31 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge410nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package30pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 67A; Idm: 240A; 801W

Документация

Документы пока не предоставлены.