Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC025SMA120SDT/R

MSC025SMA120SDT/R
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Корпус
TO263
Gate-source voltage
-10...23 V

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяMSC025SMA120SDT/R
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
КорпусTO263
Gate-source voltage-10...23 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge232nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package800pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 129A; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.