Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC017SMA120SDT/RM

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
108 A
Pulsed drain current
136 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMSC017SMA120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current108 A
Pulsed drain current136 A
Power dissipation749 W
КорпусTO263-7XL
On-state resistance22 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge194nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Manufacturer standard package100pcs.
FamilySMA
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 136A; 749W

Документация

Документы пока не предоставлены.