Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC016SMC120B4N

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
94 A
Pulsed drain current
450 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC016SMC120B4N
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current94 A
Pulsed drain current450 A
Power dissipation524 W
КорпусTO247-4-notch
On-state resistance19 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge215nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
FamilySMC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 94A; Idm: 450A; 524W; SMC

Документация

Документы пока не предоставлены.