Антава

MICROCHIP

Транзистор MSC012SMB120SDT/RM

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
84 A
Pulsed drain current
350 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMSC012SMB120SDT/RM
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current84 A
Pulsed drain current350 A
Power dissipation577 W
КорпусTO263-7XL
On-state resistance22 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge194nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
FamilySMB
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 350A; 577W

Документация

Документы пока не предоставлены.