MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод MRT100KP78CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 78V
- Breakdown voltage
- 86.7V
- Max. forward impulse current
- 655A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- THT — в отверстия
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MRT100KP78CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 78V |
| Breakdown voltage | 86.7V |
| Max. forward impulse current | 655A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 10µA |
| Peak pulse power dissipation | 100kW |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -65...150°C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 86.7V; 655A; bidirectional; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.