Антава

MICROCHIP

Диод MRT100KP51A

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
100 kW
Max. off-state voltage
51 V
Breakdown voltage
56.7 V
Max. forward impulse current
990 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMRT100KP51A
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation100 kW
Max. off-state voltage51 V
Breakdown voltage56.7 V
Max. forward impulse current990 A
Semiconductor structureunidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 100kW; 56.7V; 990A; unidirectional; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.