Антава

MICROCHIP

Диод MRT100KP48AE3

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
100 kW
Max. off-state voltage
48 V
Breakdown voltage
53.3 V
Max. forward impulse current
1.06kA
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMRT100KP48AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation100 kW
Max. off-state voltage48 V
Breakdown voltage53.3 V
Max. forward impulse current1.06kA
Semiconductor structureunidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current0.15 mA
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 100kW; 53.3V; 1.06kA; unidirectional; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.