Антава

MICROCHIP

Диод MRT100KP45AE3

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Max. off-state voltage
45 V
Breakdown voltage
50 V
Max. forward impulse current
1.13kA
Semiconductor structure
unidirectional
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMRT100KP45AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Max. off-state voltage45 V
Breakdown voltage50 V
Max. forward impulse current1.13kA
Semiconductor structureunidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current0.15 mA
Peak pulse power dissipation100 kW
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 50V; 1.13kA; unidirectional; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.