Антава

MICROCHIP

Диод MRT100KP40CAE3

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Max. off-state voltage
40 V
Breakdown voltage
44.4 V
Max. forward impulse current
1273 A
Semiconductor structure
bidirectional
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMRT100KP40CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Max. off-state voltage40 V
Breakdown voltage44.4 V
Max. forward impulse current1273 A
Semiconductor structurebidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current1.5 mA
Peak pulse power dissipation100 kW
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 44.4V; 1273A; bidirectional; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.