MICROCHIP
Диод MRT100KP200CAE3/TR
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 200 V
- Breakdown voltage
- 222 V
- Max. forward impulse current
- 256 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- THT — в отверстия
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MRT100KP200CAE3/TR |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 200 V |
| Breakdown voltage | 222 V |
| Max. forward impulse current | 256 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 10 µA |
| Peak pulse power dissipation | 100 kW |
| Number of channels | 1 |
| Kind of package | reel, tape |
| Рабочая температура | -65...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 222V; 256A; bidirectional; 100kW; Ch: 1; reel,tape
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.