Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Диод MRT100KP160AE3

Фото уточняется
Type of diode
TVS
Max. off-state voltage
160V
Breakdown voltage
178V
Max. forward impulse current
318A
Semiconductor structure
unidirectional
Монтаж
THT — в отверстия
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяMRT100KP160AE3
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of diodeTVS
Max. off-state voltage160V
Breakdown voltage178V
Max. forward impulse current318A
Semiconductor structureunidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current10µA
Peak pulse power dissipation100kW
Number of channels1
Рабочая температура-65...150°C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 178V; 318A; unidirectional; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.