MICROCHIP
Диод MRT100KP110AE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 110 V
- Breakdown voltage
- 122 V
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Peak pulse power dissipation
- 100 kW
- Number of channels
- 1
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MRT100KP110AE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 110 V |
| Breakdown voltage | 122 V |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Peak pulse power dissipation | 100 kW |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -65...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 122V; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.