MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод MRT100KP100CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Max. off-state voltage
- 0.1kV
- Breakdown voltage
- 111V
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Peak pulse power dissipation
- 100kW
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MRT100KP100CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Max. off-state voltage | 0.1kV |
| Breakdown voltage | 111V |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Peak pulse power dissipation | 100kW |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -65...150°C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 111V; bidirectional; 100kW; Ch: 1; -65÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.