NXP
Транзистор MRF101BN
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Drain-source voltage
- 133 V
- Drain current
- 8.8 A
- Power dissipation
- 182 W
- Корпус
- TO220-3
- Gate-source voltage
- ±10 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MRF101BN |
|---|---|
| Производитель | NXP |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 133 V |
| Drain current | 8.8 A |
| Power dissipation | 182 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±10 V |
| Монтаж | THT — в отверстия |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; 133V; 8.8A; 182W; TO220-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.