MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод MQ1N8182US
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.15kW
- Max. off-state voltage
- 170V
- Breakdown voltage
- 190V
- Max. forward impulse current
- 510mA
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MQ1N8182US |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.15kW |
| Max. off-state voltage | 170V |
| Breakdown voltage | 190V |
| Max. forward impulse current | 510mA |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Number of channels | 1 |
| Ёмкость | 4pF |
| Рабочая температура | -55...175°C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 0.15kW; 190V; 510mA; unidirectional; Ch: 1; 4pF
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.