MICROCHIP
Диод MPLAD6.5KP10CAE3
PLADИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 6.5 kW
- Max. off-state voltage
- 10 V
- Breakdown voltage
- 11.1...12.3 V
- Max. forward impulse current
- 383 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD6.5KP10CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 6.5 kW |
| Max. off-state voltage | 10 V |
| Breakdown voltage | 11.1...12.3 V |
| Max. forward impulse current | 383 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Корпус | PLAD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 15 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 6.5kW; 11.1÷12.3V; 383A; bidirectional; PLAD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.