Антава

MICROCHIP

Диод MPLAD30KP58CAE3

Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
30 kW
Max. off-state voltage
58 V
Breakdown voltage
64.4 V
Max. forward impulse current
318 A
Semiconductor structure
bidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMPLAD30KP58CAE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation30 kW
Max. off-state voltage58 V
Breakdown voltage64.4 V
Max. forward impulse current318 A
Semiconductor structurebidirectional
МонтажSMD — поверхностный
Leakage current10 µA
Number of channels1
Рабочая температура-55...150 °C
СерияMPLAD
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 30kW; 64.4V; 318A; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

Документация

Документы пока не предоставлены.