MICROCHIP
Диод MPLAD30KP36CAE3
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30 kW
- Max. off-state voltage
- 36 V
- Breakdown voltage
- 40 V
- Max. forward impulse current
- 516 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP36CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Max. off-state voltage | 36 V |
| Breakdown voltage | 40 V |
| Max. forward impulse current | 516 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
| Серия | MPLAD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 40V; 516A; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.