MICROCHIP
Диод MPLAD30KP30CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30 kW
- Max. off-state voltage
- 30 V
- Breakdown voltage
- 33.3...36.8 V
- Max. forward impulse current
- 618 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP30CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Max. off-state voltage | 30 V |
| Breakdown voltage | 33.3...36.8 V |
| Max. forward impulse current | 618 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Корпус | PLAD |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 10 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 33.3÷36.8V; 618A; bidirectional; PLAD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.