MICROCHIP
Диод MPLAD30KP28CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30 kW
- Max. off-state voltage
- 28 V
- Breakdown voltage
- 31.1 V
- Semiconductor structure
- bidirectional
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP28CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Max. off-state voltage | 28 V |
| Breakdown voltage | 31.1 V |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
| Серия | MPLAD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 31.1V; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.