MICROCHIP
Диод MPLAD30KP22CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30 kW
- Max. off-state voltage
- 22 V
- Breakdown voltage
- 24.4 V
- Max. forward impulse current
- 822 A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP22CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Max. off-state voltage | 22 V |
| Breakdown voltage | 24.4 V |
| Max. forward impulse current | 822 A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 10 µA |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
| Серия | MPLAD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 24.4V; 822A; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.