MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод MPLAD30KP100CAE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30kW
- Max. off-state voltage
- 0.1kV
- Breakdown voltage
- 111V
- Max. forward impulse current
- 186A
- Semiconductor structure
- bidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP100CAE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30kW |
| Max. off-state voltage | 0.1kV |
| Breakdown voltage | 111V |
| Max. forward impulse current | 186A |
| Semiconductor structure | bidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 10µA |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Серия | MPLAD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 111V; 186A; bidirectional; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.