MICROCHIP
Диод MPLAD30KP100A
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 30 kW
- Max. off-state voltage
- 0.1 kV
- Breakdown voltage
- 111 V
- Max. forward impulse current
- 186 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | MPLAD30KP100A |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 30 kW |
| Max. off-state voltage | 0.1 kV |
| Breakdown voltage | 111 V |
| Max. forward impulse current | 186 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 10 µA |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочая температура | -55...150 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 30kW; 111V; 186A; unidirectional; Ch: 1; -55÷150°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.