Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор MMST5551-7-F

MMST5551-7-F
Type of transistor
NPN
Polarisation
bipolar
Collector-emitter voltage
160 V
Collector current
0.2 A
Рассеиваемая мощность
0.2 W
Корпус
SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMST5551-7-F
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorNPN
Polarisationbipolar
Collector-emitter voltage160 V
Collector current0.2 A
Рассеиваемая мощность0.2 W
КорпусSOT323
Current gain80...250
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Частота300 MHz
Manufacturer standard package3000pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.