Антава

IXYS

Транзистор MMIX4G20N250

Type of transistor
IGBT x4
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
4 A
Рассеиваемая мощность
100 W
Корпус
SMPD
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX4G20N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT x4
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current4 A
Рассеиваемая мощность100 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current105 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Turn-on time217ns
Turn-off time1.066µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
TopologyH-bridge
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT x4; 2.5kV; 4A; 100W; SMPD; Features: high voltage

Документация

Документ производителя