Антава

IXYS

Транзистор MMIX4B22N300

Type of transistor
IGBT x4
Технология
BiMOSFET™
Collector-emitter voltage
3 kV
Collector current
22 A
Power dissipation
150 W
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX4B22N300
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT x4
ТехнологияBiMOSFET™
Collector-emitter voltage3 kV
Collector current22 A
Power dissipation150 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current165 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Turn-on time743ns
Turn-off time1.87µs
Features of semiconductor deviceshigh voltage
TopologyH-bridge
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD

Документация

Документ производителя