Антава

IXYS

Транзистор MMIX2F60N50P3

MMIX2F60N50P3
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
HiPerFET™, Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 20 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%7 422,41 ₽

Сумма · с НДС 22%7 422,41 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 17 422,41 ₽
от 36 548,75 ₽
от 105 887,06 ₽
от 205 494,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяMMIX2F60N50P3
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияHiPerFET™, Polar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 A
Pulsed drain current150 A
Рассеиваемая мощность320 W
КорпусSMPD
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge96nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A

Документация

Документы пока не предоставлены.