IXYS

Транзистор MMIX1Y82N120C3H1

SMPDИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 78 A
Рассеиваемая мощность: 320 W
Корпус: SMPD
Pulsed collector current: 320 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	MMIX1Y82N120C3H1
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	78 A
Рассеиваемая мощность	320 W
Корпус	SMPD
Pulsed collector current	320 A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	215nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 320W; SMPD

Документация

Документы пока не предоставлены.