Антава

IXYS

Транзистор MMIX1Y100N120C3H1

Type of transistor
IGBT
Технология
BiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
400 W
Корпус
SMPD
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяMMIX1Y100N120C3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияBiMOSFET™, GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность400 W
КорпусSMPD
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current440 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.27µC
Kind of packagetube
Turn-on time122ns
Turn-off time265ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.2kV; 40A; 400W; SMPD

Документация

Документ производителя